Fél évvel a konzorcium megalakítása után nyilvánosságra hozták az első hivatalos műszaki specifikációt, amely az mesterséges intelligencia modellek futtatását gyorsíthatja fel adatközponti környezetben.
Az AI-modellek betanításáról a gyakorlati alkalmazásra, vagyis a következtetési (inference) fázisra tolódik át a hangsúly, a jelenlegi memóriamarchitectúrák azonban súlyos szűk keresztmetszettel küzdenek. A nagy sávszélességű DRAM-alapú HBM modulok rendkívül gyorsak, de a kapacitásuk korlátozott és az áruk is csillagászati. Ezzel szemben a klasszikus NVMe SSD-k hatalmas adattárolást tesznek lehetővé elérhető áron, ám átviteli sebességük messze elmarad a modern AI-gyorsítók igényeitől. Ezt a tátongó rést hivatott betölteni a High Bandwidth Flash, amely a NAND flash technológia szkalálhatóságát ötvözi a HBM-nél megismert rétegezési eljárásokkal.
UCIe csatoló és 3 TB/s sávszélesség a nyílt adatközponti szabványban
A Sandisk Corporation és az SK Hynix az Open Compute Project (OCP) keretein belül tette közzé az első nyilvános HBF specifikációt. A közzétett dokumentáció szerint a technológia nyílt iparági szabványként jelenik meg, így nem egyetlen gyártó saját megoldásáról van szó. A szabványosítási folyamathoz a fejlesztés korai szakaszában olyan meghatározó piaci szereplők is csatlakoztak, mint a Google és az AI-chipeket tervező Tenstorrent, ami jelzi a technológia iránti közvetlen adatközponti igényt.
Az új architektúra a chipletek közötti kommunikációra szolgáló UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express) felületet használja. Ez a fizikai és szoftveres csatolófelület garantálja, hogy a HBF modulok rugalmasan illeszthetők legyenek a különféle GPU-khoz, CPU-khoz és célhardverekhez. A szabvány két alapvető chiprétegezési opciót határoz meg: a 8 és 16 rétegű NAND lapkák egymásra pakolásával eszközönként akár 512 GB-os kapacitás is elérhető. A sávszélességet három teljesítményosztályba (Grade 1–3) sorolták, amelyek 0,4 TB/s és 3,0 TB/s közötti adatátviteli tempót biztosítanak.
375 rétegű 4D NAND lapkákkal támogatják a bevezetést
Az SK Hynix az FMS 2026 konferencián a műszaki leírás publikálásával egy időben bemutatta tizedik generációs (V10) 375 rétegű 4D NAND lapkáit is. Az új gyártástechnológiával készülő flash memóriák a korábbi generációkhoz képest 2,5-szeres energiahatékonyság-javulást mutatnak, ami kulcsfontosságú a több megawattos adatközponti infrastruktúrák hűtési és áramellátási költségeinek lefaragásában. A gyártó várakozásai szerint az ezekre épülő HBF komponensek tömegtermelése a jövő év elején indulhat el.
| Paraméter | HBF Szabvány Specifikáció |
|---|---|
| Fejlesztői szövetség | Sandisk, SK Hynix, Google, Tenstorrent (OCP keretében) |
| Maximális kapacitás | Akar 512 GB (8-high és 16-high NAND rétegezés) |
| Adatátviteli sávszélesség | 0,4 TB/s – 3,0 TB/s (Három teljesítményosztályban) |
| Interfész / Csatoló | UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express) |
| Elsődleges célterület | Hyperscale adatközpontok, AI következtetési szerverek |
A réteges memóriamodell jövője
A memóriamodulok szabványosítása gyors ütemben halad, hiszen a 2026 februárjában hivatalossá vált szövetség alig hat hónap alatt eljutott az első teljes specifikáció közzétételéig. A szabvány elterjedése alapjaiban változtathatja meg a szerverarchitektúrákat: a HBF megjelenésével egy olyan köztes memóriaréteg jön létre, amely kiválthatja a méregdrága HBM tömbök egy részét azokban az esetekben, ahol a hatalmas adatmennyiség gyors elérése fontosabb, mint a tiszta, nanoszekundumos válaszidő.
