Saját fejlesztésű mesterséges intelligencia gyorsító gyártására készül az Anthropic a Samsung Foundry félvezetőgyártó üzemével együttműködve. A számítási kapacitás növelését célzó egyedi ASIC architektúrát a Broadcom tervezőcsapata alakítja ki a dél-koreai vállalat SF2 jelű, 2 nm-es gyártástechnológiájára alapozva.
A stratégiai megállapodás keretében készülő chipek első körben alacsonyabb, körülbelül 200 ezer darabos példányszámban hagyhatják el a futószalagot. Az adatközponti célokra szánt egység óriási teljesítményt céloz meg: az INT8 számítási feladatoknál eléri a 4000 TOPS-os értéket, miközben fogyasztása lapkánként mintegy 1300 wattra tehető. A memóriasávszélesség biztosításáról 192 GB vagy akár 288 GB kapacitású HBM3E modul gondoskodik a végleges kiépítéstől függően.
Fejlett csomagolástechnológia a TSMC kihívójaként
A gyártási folyamat során a Samsung Foundry a saját fejlesztésű I-Cube technológiáját alkalmazza, amely 2.5D csomagolással kapcsolja össze a 2 nm-es szilíciumlapkát és a nagy sávszélességű memóriát. A technológiai megoldás közvetlen vetélytársa a piacon meghatározó TSMC CoWoS eljárásának, így a megrendelés megszerzése komoly fegyvertény a dél-koreai bérgyártónak.
A jelenlegi tesztjellegű mennyiség lehetővé teszi az Anthropic számára, hogy valós körülmények között mérje fel az egyedi infrastruktúra működését. Egy saját fejlesztésű gyorsító bevezetése a hűtési, áramellátási és hálózati keretrendszer teljes átalakítását igényli, mielőtt megkezdődhetne a tömeges méretű szállítás.
A chipgyártási piac átalakulása
A szilíciumvölgyi kutatólaboratóriumok egyre inkább törekednek a külső technológiai beszállítóktól való függőség csökkentésére. A saját célra tervezett, célszerszámként működő integrált áramkörök pontosabban illeszkednek a nagy nyelvi modellek specifikus követelményeihez, ami hatékonyabb energiafelhasználást teszi lehetővé a nagy léptékű adatfeldolgozásban.
A Samsung Foundry számára a megállapodás lehetőséget nyújt arra, hogy felzárkózzon a piackutatók szerint domináns pozícióban lévő TSMC mögé. A fejlett Gate-All-Around tranzisztorstruktúrát használó 2 nm-es SF2 csomópont éles üzemi próbája meghatározó lépés lehet a társaság félvezető-üzletágának újjáépítésében.
