Gyökeres fordulatot hozhat a félvezetőiparban a kínai memóriagyártás meghatározó szereplője.
A CXMT piaci értesülések szerint arra készül, hogy a dinamikus RAM-ok után a NAND flash memóriák szegmensébe is belépjen. A döntés hátterében az mesterséges intelligenciához kapcsolódó adatközponti infrastruktúra rohamos növekedése áll, ami az egész világon hiányt idézett elő a tárhelykomponensekből.
Fejlesztési központ épül Pekingben
A kiszivárgott tervek alapján a vállalat egy dedikált kutatási és fejlesztési gyártósor felállítását tervezi a Peking mellett épülő második üzemében. Ezzel párhuzamosan a kínai fővárosban egy önálló kutatóintézetet is létrehoztak, ahol a kutatók már kifejezetten a 3D NAND technológia előkészítésén dolgoznak.
Iparági információk szerint a CXMT már megkezdte a tárgyalásokat lehetséges partnereivel. Az érdeklődők között szerepel egy új technológiai vállalkozás is, amely AI-rendszerekhez és szuperszámítógépekhez tervezett adattárolókban használná fel a vállalat chipjeit. A kísérleti gyártósor beindításának pontos időpontja és a tömegtermelés elindítása egyelőre nem ismert.
Átrendeződhet a kínai és a nemzetközi memóriapiac
A kínai félvezetőszektorban eddig egyfajta munkamegosztás uralkodott a két legnagyobb gyártó között. Míg a CXMT a DRAM-szegmenst dominálta, addig a flash adattárolók piacát a Yangtze Memory Technologies uralta. Az új fejlesztési iránnyal a CXMT nemcsak a nemzetközi óriásokkal száll szembe, hanem hazai versenytársával is átfedésbe kerül a termékkínálata.
A globális piacon a Samsung, az SK Hynix és a Micron birtokolja a legnagyobb részesedést. A világszerte tapasztalható memóriahiány miatt a gyártók jelentős kapacitásokat csoportosítottak át a magasabb profittal kecsegtető AI-memóriákra, ami teret nyitott az új szereplők számára az alaptárolók piacán.
