Súlyos milliárdok sorsa dől el: a Samsung 2029-re halasztotta a legfejlettebb chipjeinek tömeggyártását az élesedő piaci versenyben. A dél-koreai óriásvállalat eredetileg 2027-re, majd később 2028-ra tervezte az 1,4 nanométeres (SF1.4) csomópont éles bevetését, ám a legfrissebb iparági jelentések szerint a menetrend radikálisan átalakult. A háttérben nem technológiai kudarc, hanem kőkemény üzleti stratégia és az erőforrások átcsoportosítása áll.
A 2 nanométeres gát és a szűk keresztmetszet
A dél-koreai The Bell gazdasági lap beszámolója rávilágított, hogy a halasztás közvetlen oka a jelenlegi generációs, 2 nanométeres eljárások (SF2 és SF2P) iránti ugrásszerűen megnövekedett igény. A gyáróriás mérnöki kapacitásait és kutatás-fejlesztési forrásait szinte teljesen leköti a meglévő 2 nanométeres GAA (Gate-All-Around) tranzisztor-architektúra kihozatalának stabilizálása és optimalizálása. A félvezetőpiacon jelenleg óriási a nyomás a mesterséges intelligenciát kiszolgáló chipek miatt, a megrendelőknek pedig stabil, működő lapkák kellenek most, nem pedig bizonytalan ígéretek a távolabbi jövőre.
Ez a stratégiai váltás a gyakorlatban is érezteti a hatását. A cég például kénytelen volt megváltoztatni a következő generációs csúcskategóriás mobilprocesszora, az Exynos 2800 gyártástechnológiáját is. A tervezőasztalon eredetileg 1,4 nanométerre szánt lapka végül a finomított, második generációs 2 nanométeres eljárással készül el, mivel az új ütemterv szerint a fejlettebb litográfia még nem állna készen a piaci premierre.
High-NA EUV: titkos fegyver a TSMC ellen
A kétéves csúszás ellenére a Samsung nem adta fel a harcot a piacvezető TSMC és a feltörekvő Intel ellen, sőt hardveres téren próbál az élre törni. Az iparági adatok megerősítik, hogy a vállalat már sikeresen telepítette az ASML legújabb generációs, High-NA EUV (extrém ultraibolya) levilágító berendezéseit az NRD-K kutatás-fejlesztési központjában. Ezek az eszközök kritikus fontosságúak lesznek az 1,4 nanométeres chipek bizonyos maszkrétegeinek mintázásához.
Érdekesség, hogy miközben a dél-koreaiak és az Intel már gőzerővel integrálják ezt a méregdrága technológiát, a TSMC a hírek szerint egészen 2029-ig tervez itthon boldogulni a hagyományos, Low-NA berendezésekkel. Ez azt jelenti, hogy az 1,4 nanométeres korszak hajnalán a Samsung technológiai előnybe kerülhet a finomabb struktúrák kialakításában, még akkor is, ha az időzítést tekintve némileg lépéshátrányban van.
Átrendeződik a globális beszállítói lánc
A halasztás komoly hatással lesz a techszféra legnagyobb megrendelőire, különösen az Apple-re. Cupertinóban folyamatos fejfájást okoz, hogy a TSMC gyártókapacitásai végletesen leterheltek, a tajvaniak árai pedig folyamatosan emelkednek. Ha a Samsung képes lesz 2029-ben stabil kihozatallal és versenyképes teljesítménnyel elindítani az 1,4 nanométeres tömeggyártást, az Apple végre valódi alternatívát kaphat a diverzifikációra, és megtörheti a TSMC egyeduralmát a prémium szilíciumpiacon.
A gyártók közötti verseny az évtized végére válik igazán kritikussá. Az alábbi táblázat jól mutatja, hogyan alakulnak a három legnagyobb félvezetőgyártó legfejlettebb csomópontjainak céldátumai:
| Gyártó vállalat | Csomópont elnevezése | Tömeggyártás tervezett éve | Kulcstechnológia |
|---|---|---|---|
| TSMC | A14 (1,4 nm) | 2028 | Low-NA EUV optimizáció |
| Samsung | SF1.4 (1,4 nm) | 2029 | High-NA EUV integráció |
| Intel | Intel 14A (1,4 nm) | 2029 | High-NA EUV + PowerVia |
A Samsung már hivatalosan is megosztotta az új ütemtervet a legfontosabb nemzetközi berendezésgyártókkal, köztük az Applied Materials és a Lam Research vállalatokkal, hogy megkezdhessék a célszerszámok korai fejlesztését. Bár a tajvani rivális 2028-as céldátumával megtartja szűk egyéves előnyét, a High-NA technológia korai bevezetése hosszú távon mégis a dél-koreaiaknak kedvezhet a hatékonysági versenyben.
