A mesterséges intelligencia térnyerése elképesztő adatéhséggel párosul, ami teljesen új elvárásokat támaszt a modern adatközpontok tárolókapacitásával szemben. Erre a kihívásra válaszul a Kioxia és a SanDisk bejelentette, hogy hivatalosan is megkezdte a legújabb, tizedik generációs BiCS FLASH 3D NAND flash memóriaeszközök mintaszállítását. A gyártók közvetlenül a vállalati és adatközponti SSD-ket célozzák meg a chipekkel, amelyek minden eddiginél komolyabb adatsűrűséget és átviteli sebességet ígérnek alacsonyabb fogyasztás mellett.
Kettős stratégia a chipgyártásban
A két memóriagigász nem bízta a véletlenre a fejlesztést, és a BiCS10 chipekkel komoly technológiai ugrást hajtott végre az iparágban jelenleg tömegtermelésben lévő nyolcadik generációhoz képest. A fejlesztés alapját az úgynevezett CMOS directly Bonded to Array (CBA) eljárás adja. Ez a technológia a logikai áramköröket és a memóriacellákat két teljesen különálló ostyán, a saját optimális körülményeik között gyártja le, majd egy rendkívül precíz eljárással préseli őket egymáshoz. A gyártók egy egyedülálló, kétpályás stratégiát követnek: miközben a kilencedik generációs megoldásokkal a költséghatékonyabb, de magas teljesítményű piaci szegmenst fedik le, a tizedik generációval a maximális kapacitást és a csúcssebességet hozzák el a piacra.
Felfoghatatlan sűrűség és 4,8 Gb/s sebesség
A technológiai fejlődés számszerűsíthető előnyei drasztikus hatékonyságnövekedést mutatnak a mindennapi vállalati infrastruktúrában.
| Jellemző | BiCS10 1 Tb TLC paraméterek | Változás a korábbi generációhoz képest |
|---|---|---|
| Fizikai memóriarétegek száma | 332 réteg | Jelentős vertikális növekedés |
| Bitsűrűség | 29 Gb/mm² felett | 59 százalékos növekedés (BiCS8-hoz képest) |
| NAND interfész sebessége | 4,8 Gb/s | 33 százalékos gyorsulás (BiCS8-hoz képest) |
| Input / Output fogyasztás csökkenése | 10% bemeneti / 34% kimeneti megtakarítás | Komoly zöldülési faktor az adatközpontokban |
A Toggle DDR6.0 interfészt és az új PI-LTT technológiát használó architektúra a 332 fizikai réteg egymásra pakolásával érte el a 29 Gb/mm² feletti elméleti sűrűséget. Ez a gyakorlatban azt jelenti, hogy egyetlen apró chipen 1 terabitnyi (128 gigabájtnyi) Triple-Level-Cell (TLC) adat tárolható el, miközben az írási és olvasási hatékonyság is szintet lépett.
Közvetlen válasz a zöld energiás AI-forradalomra
A megnövelt bitsűrűség és az alacsonyabb fogyasztás kombinációja közvetlenül a hiperskálázható felhőszolgáltatók zsebében hagy pénzt. A modern adatközpontok üzemeltetési költségeinek tetemes részét a hűtés és az energiaellátás teszi ki, így a kimeneti oldalon elért 34 százalékos energiamegtakarítás azonnal jelentkezik a villanyszámlákon. A Kioxia és a SanDisk közös fejlesztése ráadásul a rövidebb bitvonalakat eredményező OPS (On-Pitch Select Gate Drain) technológiával csökkenti a kapacitív veszteséget, így a chipek stabilabban tartják a csúcssebességet intenzív terhelés alatt is.
Adatközpontokból a hazai szerverszobákba
A technológia terjedése a hazai piacon is éreztetni fogja a hatását a következő időszakban. Bár ezek a chipek első körben a tengerentúli és ázsiai óriásfelhők kiszolgálóiba kerülnek be, a mintaszállítás megindulása jelzi, hogy a technológia készen áll a tömegtermelésre. A Kitakami üzem Fab2 gyáregységében készülő chipek a globális ellátási láncon keresztül záros határidőn belül elérik a Magyarországon működő vállalati felhőszolgáltatókat és a hazai banki infrastruktúrát is, ahol az AI-alapú adatelemzés már most kritikus szűk keresztmetszetekbe ütközik.
A tömegtermelés küszöbén
A jelenlegi mintaszállítási fázis az utolsó komoly tesztlépcső a chipek életében, ahol a partnerek ellenőrzik a funkcionális kompatibilitást a saját vezérlőikkel. A gyártókapacitások felfuttatásával a BiCS10 chipekre épülő vállalati és adatközponti SSD meghajtók végleges specifikációi a tömegtermelés megindulásával válhatnak hivatalossá, végleg új alapokra helyezve az AI-korszak háttértárait.
