Gyors tempóban vált a legújabb 1c DRAM technológiára az SK hynix félvezetőgyártó óriáscég. A hatodik generációs 10 nanométeres eljárás rövid időn belül a vállalat első számú gyártási csomópontjává válik, ami alapjaiban határozza meg a nagy sávszélességű és alacsony fogyasztású memóriák piacát.
A félvezetőiparban a memória-csomópontok skálázása komoly fizikai kihívásokat jelent, így a gyártók a 10 nanométeres osztályon belül finomítják a meglévő eljárásokat. A korábbi, 1b jelzésű generáció jelenleg 12–13 nanométeres fizikai csíkszélességnek felel meg, és négy EUV litográfiai réteget használ. Ezzel szemben a fejlettebb, 1c eljárás már 11–12 nanométerre csökkenti a méreteket, miközben az EUV-rétegek száma ötre vagy hatra emelkedik. Ez az átállás lényegesen jobb teljesítménysűrűséget és alacsonyabb energiafogyasztást garantál az új generációs lapkáknál.
Hogyan alakulnak a gyártási arányok 2026-ban?
Az SK hynix kapacitásának átrendezése már az év első felében elindult. Míg 2026 első negyedévében az 1c DRAM csomópont még csupán a teljes termelés mintegy 10 százalékát adta, a második negyedévre ez az arány 13 százalékra emelkedett. A folyamat a harmadik negyedévben tovább gyorsul, ahol a becslések szerint a termelés 24 százaléka készül már ezen a csomóponton, az év utolsó három hónapjában pedig eléri a 34 százalékot.
A várakozások szerint 2027 első negyedévében érkezik el a fordulópont, amikor az 1c csomópont 35 százalékos részesedéssel hivatalosan is átveszi a vezető szerepet az addig domináns, 33 százalékra visszaszoruló 1b eljárástól. Ezzel az átállási ütemmel a dél-koreai gyártó megelőzi közvetlen iparági versenytársait, hiszen a piacon jelenleg a Samsung körülbelül 16 százalékon, a Micron pedig 19 százalékon üzemelteti a saját legfejlettebb 1c kapacitásait.
A mesterséges intelligencia és a mobil eszközök hajtóereje
Az új gyártástechnológia nem öncélú fejlesztés, hanem közvetlenül a mesterséges intelligencia és a nagy teljesítményű számítástechnika szigorú követelményeire válaszol. Az 1c eljárásra épülő lapkák képezik az alapját a jövőbeli HBM4E memóriamoduloknak, valamint a mobil eszközökbe szánt LPDDR6 és a szerverekben, számítógépekben használt DDR5 memóriáknak. Ezzel párhuzamosan a korábbi 1b node továbbra is szolgálja a meglévő DDR5, LPDDR5X, HBM3E és HBM4 termékek előállítását.
A piaci elemzések rámutatnak arra, hogy a klasszikus síkbeli lapkaelrendezés határaihoz közelítve a chipgyártók kénytelenek új struktúrák felé nyitni. Bár a jövő a függőleges kapus tranzisztorokban és a háromdimenziós DRAM architektúrákban rejlik, a most bevezetett 1c csomópont még évekig az élvonalbeli chipgyártás pillére marad. Az SK hynix stratégiája így hosszú távra biztosítja a csúcskategóriás memóriamodulok ellátási láncát.
