epitaxial-interface-engineering-enables-high-transconductance-2d-transistors

A szilíciumon túlmutató, 0.42 nanométeres tranzisztor-áttörést értek el Tajvanon

Végzetes akadályba ütközött a szilícium utódjának szánt atomi tranzisztorok fejlesztése, de egy apró védőréteg áttörést hozott. A 0,42 nanométeres tranzisztor határfelületi eljárással a kutatók sikeresen megvédték az elektronok áramlását az atomi vékonyságú félvezetőkben. A tajvani National Yang Ming Chiao Tung University (NYCU) és a TSMC mérnökei által kifejlesztett technológia a számítógépes chipek következő generációjának alapkőzetévé…

Read Full News