A TSMC 2030-ban indítja el a High-NA EUV litográfiát: az A10 és A11 eljárás a fő jelölt
Évekig tartó halogatás után végül meghatározta a szuperfejlett chipgyártó berendezések bevezetésének pontos menetrendjét a félvezetőipar piacvezetője. A TSMC hivatalosan is megerősítette, hogy 2030-ban kezdi meg a High-NA EUV litográfia tömegtermelésbeli alkalmazását. A döntés értelmében az elsődleges célpontot az 1 nanométeres osztályba tartozó A10, illetve az azt követő A11 gyártástechnológia jelenti majd. Költséghatékonyság és óvatosság a…