Félvezető-forradalom: a Samsung áttörte a 900 réteges lélektani határt
A globális adatrobbanás és a mesterséges intelligencia (AI) elképesztő hardverigénye új korszakot nyitott a memóriachipek fejlesztésében. A Samsung a napokban hivatalosan is bemutatta a világ első 900 rétegű V-NAND flash memória prototípusát, amellyel hatalmas technológiai ugrást hajtott végre a versenytársakhoz képest. A fejlesztés alapjaiban változtathatja meg a jövő adatközpontjait és a lakossági háttértárak piacát. A…